2N3019 NTE Electronics
Артикул
2N3019
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Цена
152 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N3019_5222.jpg
Supplier Device Package
TO-39
Power - Max
800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Standard Package
1
Other Names
2368-2N3019
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
100MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут