г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3054 NTE Electronics

Артикул
2N3054
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 55V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 55 V 4 A 3MHz 25 W Through Hole TO-66
Цена
1 564 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N3054.jpg
Supplier Device Package
TO-66
Power - Max
25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
55 V
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
6V @ 1A, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 500mA, 4V
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Standard Package
1
Other Names
2368-2N3054
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RGP15D
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 1.5A FAST SW, Diode Standard 200 V 1.5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1N4744A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 1W AXIAL, Zener Diode 15 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: RGP15M
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000V 1.5A FAST SW, Diode Standard 1000 V 1.5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N6259
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 150V 16A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 16 A - 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: NTE5015A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500 MV DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mV ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N6667
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее