г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5303 NTE Electronics

Артикул
2N5303
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 20 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Цена
744 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5303.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 15A, 2V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5303
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
2MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N821A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP105
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N5378B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 100V 5W T18, Zener Diode 100 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N825A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее