г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5460 NTE Electronics

Артикул
2N5460
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - JFETs, Транзисторы - JFET
Image
files/2N5460.jpg
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
1 mA @ 15 V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7pF @ 15V
FET Type
P-Channel
Power - Max
310 mW
Supplier Device Package
TO-92
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5460
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
750 mV @ 1 µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5336B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 5W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N4934
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-100PRV 1A, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJE4343
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 160V 16A SOT93, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: 1N5059
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200PRV 1A, Diode Avalanche 200 V 3A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: 2N4398
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 30 A 4MHz 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N3390
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее