г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6057 NTE Electronics

Артикул
2N6057
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Цена
753 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6057.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6057
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE331
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 15A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE107
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92, RF Transistor NPN 12V 25mA 2.1GHz 200mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5252B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 24V 500MW, Zener Diode 24 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP106
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5335B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL, Zener Diode 3.9 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее