г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6059 NTE Electronics

Артикул
2N6059
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 100V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 4MHz 150 W Chassis Mount TO-3
Цена
589 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6059.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6059
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RGP30B
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-100V 3A FAST SW, Diode Standard 100 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N914A
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .02A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N2904
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 600MA TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Surface Mount TO-39
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 1A 1000V DO-41 STD., Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N5210
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AUDIO AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 50 mA 30MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее