г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6125 NTE Electronics

Артикул
2N6125
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 60V 4A TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 2.5MHz 40 W Through Hole TO-220
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6125.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 1.5A, 2V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6125
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
2.5MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RGP15J
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-600V 1.5A FAST SW, Diode Standard 600 V 1.5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NTE5188A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 12V 10W DO4, Zener Diode 12 V 10 W ±5% Chassis, Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: 1N5399
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 1000V 1.5A, Diode Standard 1000 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: TIP150
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N3585
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 300V 2A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 2 A - 35 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: 1N754A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее