г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6287 NTE Electronics

Артикул
2N6287
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 100V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 20 A - 160 W Chassis Mount TO-3
Цена
1 075 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6287.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 10A, 3V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6287
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE236
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS NPN 25V TO220, RF Transistor NPN 25V 6A - 1.7W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N5377B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 91V 5W T18, Zener Diode 91 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: 2N5301
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: NTE583
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE-SI SCHOTTKY UHF/VHF, Diode Standard 70 V 15mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N821A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N3019
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее