г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6547 NTE Electronics

Артикул
2N6547
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 400V 15A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 15 A 3MHz 175 W Chassis Mount TO-3
Цена
1 211 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6547.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
12 @ 5A, 2V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6547
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4002
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 100V 1A, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TIP29A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NTE199
Бренд: NTE Electronics
Описание: NPN SI LOW NOISE HIGH GAIN TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA - 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N3439
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 350V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N5239B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: MJ10001
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 20 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее