г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ15016 NTE Electronics

Артикул
MJ15016
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- HIGH POWER AUDIO TO-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 15 A 18MHz 180 W Through Hole TO-3
Цена
572 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJ15016.jpg
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
180 W
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Standard Package
1
Other Names
2368-MJ15016
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
18MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4154
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 35PRV .03A, Diode Standard 35 V 100mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: NTE263
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 10A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N5257B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 33V 500MW, Zener Diode 33 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP107
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N3019
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: BC547A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее