г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13006 NTE Electronics

Артикул
MJE13006
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220
Цена
276 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJE13006.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MJE13006
Series
SWITCHMODE™
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE107
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92, RF Transistor NPN 12V 25mA 2.1GHz 200mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MJ10021
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250 V 60 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5551
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: TIP150
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N5886
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 25A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: NTE5015A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500 MV DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mV ±5% Through Hole DO-35
Подробнее