г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE3055T NTE Electronics

Артикул
MJE3055T
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 60V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 75 W Through Hole TO-220
Цена
200 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJE3055T.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MJE3055T
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
2MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SW01-5
Бренд: NTE Electronics
Описание: NC WICK #3 GREEN 5FT, Desolder Braid/Wick No Clean - Green 0.075" (1.90mm) 5' (1.524m)
Подробнее
Артикул: 1N5397
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 600V 1.5A, Diode Standard 600 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: MMBTA06
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N4746A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 18V 1W AXIAL, Zener Diode 18 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N4124
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: TIP140
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее