г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE4353 NTE Electronics

Артикул
MJE4353
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Цена
890 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJE4353.jpg
Supplier Device Package
SOT-93
Power - Max
125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max)
750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 8A, 2V
Package / Case
TO-218-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MJE4353
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6727
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 2A TO237, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-237
Подробнее
Артикул: 1N5334B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL, Zener Diode 3.6 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N3600
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI .001A, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP151
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N5430
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 7A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7 A 30MHz 40 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: MPSA93
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее