г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE102A NTE Electronics

Артикул
NTE102A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Цена
1 521 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE102A.jpg
Package / Case
TO-1-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-1
Power - Max
650 mW
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
170mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
25µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
69 @ 300mA, 0V
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE102A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
90°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N7002
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23, N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NTE6240
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-DUAL SI 200V 16A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: UF5407
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-800V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 800 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: TIP145
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 1N5223B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 2.7V 500MW, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±5% Through Hole
Подробнее
Артикул: 2N5771
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- RF/IF AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 15 V 200 mA - 350 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее