г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE105 NTE Electronics

Артикул
NTE105
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 40V TO36, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V - 150 W Stud Mount TO-36
Цена
5 606 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE105.jpg
Package / Case
TO-36 (2 Leads + Case)
Supplier Device Package
TO-36
Power - Max
150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2A, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
8mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 5A, 2V
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE105
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Stud Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 100°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N4403
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N4751A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 30V 1W AXIAL, Zener Diode 30 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: UF5408
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N4126
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N749A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее