г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP102 NTE Electronics

Артикул
TIP102
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP102.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP102
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5237B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: RGP30D
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 3A FAST SW, Diode Standard 200 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N4123
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: TIP146
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 2N2102
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: NTE103A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor NPN 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Подробнее