г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP102 NTE Electronics

Артикул
TIP102
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP102.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP102
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: UF5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 50 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N5366
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: TIP100
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N5486
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 4 mA 400MHz - - TO-92
Подробнее
Артикул: 2N5401
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 150V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N5771
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- RF/IF AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 15 V 200 mA - 350 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее