г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP115 NTE Electronics

Артикул
TIP115
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP115.jpg
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Transistor Type
PNP - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP115
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Frequency - Transition
25MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP142
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 10A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: 1N5336B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 5W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MJE182
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: 1N5342B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL, Zener Diode 6.8 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5243B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 500MW, Zener Diode 13 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 2N4401
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее