г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP117 NTE Electronics

Артикул
TIP117
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP117.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP117
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4753A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 36V 1W AXIAL, Zener Diode 36 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5235B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP117
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N5486
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 4 mA 400MHz - - TO-92
Подробнее
Артикул: TIP150
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MPSA12
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее