г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP120 NTE Electronics

Артикул
TIP120
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP120.jpg
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
Transistor Type
NPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP120
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4154
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 35PRV .03A, Diode Standard 35 V 100mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: UF4001
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NTE5309
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI BRIDGE 200V 4A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: NTE147A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 33V 1W DO35, Zener Diode 33 V 1 W Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: NTE116
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 600V 1A, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N4125
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 200 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее