г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP120 NTE Electronics

Артикул
TIP120
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP120.jpg
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
Transistor Type
NPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP120
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE2365
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 800V 15A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 15 A - 180 W Through Hole TO-3PBL
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 1A 1000V DO-41 STD., Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N6426
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: TIP41B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N4124
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MJE182
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее