TIP35B NTE Electronics
Артикул
TIP35B
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Цена
572 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP35B.jpg
Supplier Device Package
TO-218
Power - Max
125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 15A, 4V
Package / Case
TO-218-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP35B
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут