г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

A3I20X050GNR1 NXP Semiconductors

Артикул
A3I20X050GNR1
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 145 mA 1.8GHz ~ 2.2GHz 29.3dB 6.3W OM-400G-8
Цена
14 144 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Series
A3I20X050GN
Transistor Type
LDMOS (Dual)
Current - Test
145 mA
Voltage - Rated
65 V
Power - Output
6.3W
Supplier Device Package
OM-400G-8
Package / Case
OM-400G-8
Noise Figure
-
Gain
29.3dB
Frequency
1.8GHz ~ 2.2GHz
Standard Package
500
Other Names
568-A3I20X050GNR1TR,935395025564
Current Rating (Amps)
10µA
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)
Voltage - Test
28 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZV55-C5V1,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: MMRF1308HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 25dB 600W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: MRF1K50HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: HIGH POWER RF TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 1.8MHz ~ 500MHz 22.5dB 1500W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: MRF300BN
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 50V TO247, RF Mosfet LDMOS 50 V 27MHz ~ 250MHz 18.7dB 300W TO-247
Подробнее
Артикул: BZV55-C27,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 27V 500MW LLDS, Zener Diode 27 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: BC337-25,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 45V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее