BC857BQAZ NXP Semiconductors
Артикул
BC857BQAZ
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC857BQAZ.jpg
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Power - Max
280 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BC857BQAZ-954
Standard Package
1
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
100MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут