г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT3906,215 NXP Semiconductors

Артикул
MMBT3906,215
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT3906215.jpg
Supplier Device Package
TO-236AB
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-MMBT3906,215-954
Standard Package
1
Operating Temperature
150°C (TJ)
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZV55-C3V9,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: MMRF1306HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: 2N7002CK,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23,
Подробнее
Артикул: PCA9534D,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: IC I2C 8BIT LP 16SOIC,
Подробнее
Артикул: 2N3904,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MRF8S18120HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S, RF Mosfet LDMOS 28 V 800 mA 1.81GHz 18.2dB 72W NI-780S
Подробнее