г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCP22N60N onsemi

Артикул
FCP22N60N
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
885 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCP22N60N.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±45V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
205W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
2156-FCP22N60N-OS,ONSONSFCP22N60N
Series
SupreMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
FCP22N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBPC2508W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: FGD5T120SH
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK, IGBT Trench Field Stop 1200 V 10 A 69 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: FSBB15CH60F
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V SPM27-CA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: FDS6670AS
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FDS8882
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BC517-D74Z
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее