г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS6670A onsemi

Артикул
FDS6670A
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDS6670A.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Supplier Device Package
8-SOIC
Other Names
FDS6670ADKR,FDS6670ACT-NDR,FDS6670ATR-NDR,FDS6670ATR,FDS6670ACT
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDS6670
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MBR120VLSFT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL, Diode Schottky 20 V 1A Surface Mount SOD-123FL
Подробнее
Артикул: FCP11N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3, N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N6045G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BCX70G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.2A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FGH60T65SQD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MJE182G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее