г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

KSD880Y onsemi

Артикул
KSD880Y
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 60V 3A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/KSD880Y.jpg
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Power - Max
30 W
Frequency - Transition
3MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
KSD880
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
200
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE3055T
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2SB1700
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MUR3040WTG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FLZ6V2C
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.3V 500MW SOD80, Zener Diode 6.3 V 500 mW ±3% Surface Mount SOD-80
Подробнее
Артикул: NTH4LN019N65S3H
Бренд: onsemi
Описание: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, N-Channel 650 V 75A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-4
Подробнее
Артикул: HGT1N40N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B, IGBT Module - Single 600 V 110 A 298 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее