г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT6427 onsemi

Артикул
MMBT6427
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 1.2 A - 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT6427.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
14000 @ 500mA, 5V
Power - Max
350 mW
Frequency - Transition
-
Other Names
MMBT6427FSTR-NDR,MMBT6427FSCT-NDR,MMBT6427FSCT,ONSONSMMBT6427,MMBT6427FSTR,2156-MMBT6427-OS,MMBT6427FSDKR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
MMBT6427
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT4401LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 2N6341
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 150V 25A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 25 A 40MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FGA40N65SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN, IGBT Field Stop 650 V 80 A 349 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: NVE4153NT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89, N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Подробнее
Артикул: FDD8796
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: FCPF11N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F, N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее