г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NGTG40N120FL2WG onsemi

Артикул
NGTG40N120FL2WG
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 40A TO-247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247-3
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/NGTG40N120FL2WG.jpg
Supplier Device Package
TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
535 W
Input Type
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
116ns/286ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Other Names
2156-NGTG40N120FL2WG-488
Base Product Number
NGTG40
Standard Package
30
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge
313 nC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HGTG10N120BND
Бренд: onsemi
Описание: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BC212L
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 0.3A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 300 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDS6680S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FDC5614P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6, P-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: MJ15001
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 140V 15A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 15 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FGA25N120ANDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO3P, IGBT NPT 1200 V 40 A 310 W Through Hole TO-3P
Подробнее