г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NVBG040N120SC1 onsemi

Артикул
NVBG040N120SC1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7, N-Channel 1200 V 60A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Цена
3 967 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NVBG040N120SC1.jpg
Supplier Device Package
D2PAK-7
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1789 pF @ 800 V
FET Feature
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
NVBG040
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-8, D?Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
488-NVBG040N120SC1CT,488-NVBG040N120SC1TR,488-NVBG040N120SC1DKR
Standard Package
800
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
357W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJL4302AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: FGA25N120ANDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO3P, IGBT NPT 1200 V 40 A 310 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: BC847BWT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 100MA SC70-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: FJP13007
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MBR60H100CTG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 30A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N6027RL1G
Бренд: onsemi
Описание: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Подробнее