г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NVBGS4D1N15MC onsemi

Артикул
NVBGS4D1N15MC
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK, N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
2 034 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NVBGS4D1N15MC.jpg
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 185A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 574µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7285 pF @ 75 V
FET Feature
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
NVBGS4
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
488-NVBGS4D1N15MCCT,488-NVBGS4D1N15MCTR,488-NVBGS4D1N15MCDKR
Standard Package
800
REACH Status
REACH Unaffected
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 316W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N959B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FGA50N100BNTDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1000V 50A 156W TO3P, IGBT NPT and Trench 1000 V 50 A 156 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: FDB6030L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB, N-Channel 30 V 48A (Ta) 52W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: GBPC2504
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: 1N5241B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 11V 500MW DO35, Zener Diode 11 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FDS2672
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее