г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Комплектующие onsemi

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
3601Артикул:2N3663
Описание:RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3, RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3
3602Артикул:2N5308
Описание:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
3603Артикул:2N5551YBU
Описание:AMP GP NPN 160V 600MA TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
8 руб.
3604Артикул:2SK4096LS
Описание:MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220FI, N-Channel 500 V 7.1A (Tc) 2W (Ta), 33W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)
234 руб.
3605Артикул:FDD6606
Описание:MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK, N-Channel 30 V 75A (Ta) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
3606Артикул:FDFS2P103A
Описание:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC, P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
3607Артикул:FDMS8674
Описание:MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN, N-Channel 30 V 17A (Ta), 21A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
3608Артикул:FDP5645
Описание:MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3, N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
3609Артикул:FDS4885C
Описание:MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.5A, 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
167 руб.
3610Артикул:FDS6672A
Описание:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
3611Артикул:FGA20S125P
Описание:IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN, IGBT Trench Field Stop 1250 V 40 A 250 W Through Hole TO-3PN
3612Артикул:FQH18N50V2
Описание:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3, N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-3
3613Артикул:FQP10N60C
Описание:MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3, N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
450 руб.
3614Артикул:FQP9N50
Описание:MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, N-Channel 500 V 9A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
3615Артикул:FQPF3N80
Описание:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F, N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
3616Артикул:FQPF4N20
Описание:MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F, N-Channel 200 V 2.8A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F-3
3617Артикул:FSB660
Описание:TRANS PNP 60V 2A SSOT-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 75MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
3618Артикул:HGT1N30N60A4D
Описание:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B, IGBT Module - Single 600 V 96 A 255 W Chassis Mount SOT-227B
3619Артикул:HGTG12N60A4
Описание:IGBT 600V 54A 167W TO247, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-247-3
3620Артикул:HUF75345P3
Описание:MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, N-Channel 55 V 75A (Tc) 325W (Tc) Through Hole TO-220-3
517 руб.
3621Артикул:HUF75545S3S
Описание:MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK, N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
3622Артикул:IRAM136-1060BS
Описание:MOD IPM INVERTER 3PHASE, Power Driver Module
3623Артикул:ISL9N302AP3
Описание:MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3, N-Channel 30 V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-220-3
3624Артикул:MPS6518
Описание:TRANS PNP 40V 0.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
3625Артикул:MUR1510
Описание:DIODE GEN PURP 100V 15A TO220-2, Diode Standard 100 V 15A Through Hole TO-220-2
274 руб.
3626Артикул:NDS9953A
Описание:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
3627Артикул:PN4250
Описание:TRANS PNP 40V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
65 руб.
3628Артикул:TIP116
Описание:TRANS PNP DARL 80V 2A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
34 руб.
3629Артикул:FLZ22VC
Описание:DIODE ZENER 21.7V 500MW SOD80, Zener Diode 21.7 V 500 mW ±3% Surface Mount SOD-80
3630Артикул:FQPF6N70
Описание:MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F, N-Channel 700 V 3.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
3631Артикул:MMBD1504
Описание:DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3632Артикул:FGA25S125P
Описание:IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN, IGBT Trench Field Stop 1250 V 50 A 250 W Through Hole TO-3PN
3633Артикул:HUF76629D3S
Описание:MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA, N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
3634Артикул:TIP31B
Описание:TRANS NPN 80V 3A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
133 руб.
3635Артикул:FQPF3N90
Описание:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F, N-Channel 900 V 2.1A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3
3636Артикул:BZX55C36
Описание:DIODE ZENER 36V 500MW DO35, Zener Diode 36 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35
Показать еще
Комплектующие onsemi, c 3601 по 3636,заказные номера 2N3663 ... BZX55C36,
классификация Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3, RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 DIODE ZENER 36V 500MW DO35, Zener Diode 36 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята