г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SK1058-E Renesas

Артикул
2SK1058-E
Бренд
Renesas
Описание
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P, N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
7 465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/2SK1058-E.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
160 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Supplier Device Package
TO-3P
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Base Product Number
2SK1058
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RD120E
Бренд: Renesas
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: 2SK2371-A
Бренд: Renesas
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: HSM88ASTR-E
Бренд: Renesas
Описание: SCHOTTKY BARRIER DIODE, Diode Array
Подробнее
Артикул: 6INT61041NDG
Бренд: Renesas
Описание: 6INT61041NDG,
Подробнее
Артикул: N0302P-T1-AT
Бренд: Renesas
Описание: TRANSISTOR, 4.4A (Tj)
Подробнее
Артикул: 2SK508-T1B-A
Бренд: Renesas
Описание: HIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET, JFET
Подробнее