NE3515S02-T1C-A Renesas
Артикул
NE3515S02-T1C-A
Бренд
Renesas
Описание
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB - 4-Micro-X
Цена
482 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/NE3515S02-T1C-A.jpg
Frequency
12GHz
Gain
12.5dB
Noise Figure
0.3dB
Package / Case
4-Micro-X
Supplier Device Package
4-Micro-X
Power - Output
-
Voltage - Rated
4 V
Current - Test
10 mA
Transistor Type
HFET
Standard Package
2,000
Other Names
3923-NE3515S02-T1C-ATR
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Last Time Buy
Current Rating (Amps)
88mA
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Voltage - Test
2 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут