BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor
Артикул
BSM600D12P3G001
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module
Цена
102 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Series
-
Supplier Device Package
Module
Power - Max
2450W (Tc)
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 182mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
31000pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
BSM600
Standard Package
4
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
846-BSM600D12P3G001
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут