г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

QS8M51TR Rohm Semiconductor

Артикул
QS8M51TR
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8, Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Цена
226 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/QS8M51TR.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
1.5W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Other Names
QS8M51DKR,QS8M51CT
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
TSMT8
Base Product Number
QS8M51
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: EMH53T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Подробнее
Артикул: DTC114YCAHZGT116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100 mA 250 MHz 350 mW Surface Mount SST3
Подробнее
Артикул: RFN1L6STE25
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS, Diode Standard 600 V 800mA Surface Mount PMDS
Подробнее
Артикул: IMD2AT108
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее
Артикул: RFX10TF6S
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM, Diode Standard 600 V 10A Through Hole TO-220NFM
Подробнее
Артикул: IMH23T110
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее