г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STP110N7F6 STMicroelectronics

Артикул
STP110N7F6
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220, N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
260 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/STP110N7F6.jpg
Base Product Number
STP110
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
68 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 25 V
FET Feature
-
Other Names
STP110N7F6-ND,497-17934
REACH Status
REACH Unaffected
Series
STripFET™ F6
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Power Dissipation (Max)
176W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BYT60P-1000
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 1000V 60A SOD93, Diode Array 2 Independent Standard 1000 V 60A Through Hole SOD-93-2
Подробнее
Артикул: BAT54CWFILMY
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 300mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: PD20010-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Подробнее
Артикул: STGP7NB60KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 14A 80W TO220, IGBT - 600 V 14 A 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STGF10H60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 30W TO220FP, IGBT Trench Field Stop 600 V 20 A 30 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: PN2907A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее