г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF510S VISHAY

Артикул
IRF510S
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK, N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF510S.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Standard Package
50
Other Names
*IRF510S
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D?PAK (TO-263)
Base Product Number
IRF510
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBUE2560-M3/P
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: IRF9610SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK, P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: IRFBC20SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK, N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: VS-15ETH06PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: ES1B-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Diode Standard 100 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: SI2369DS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236, P-Channel 30 V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее