IRFBE20PBF-BE3 VISHAY
Артикул
IRFBE20PBF-BE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB, N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
282 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFBE20PBF-BE3.jpg
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Supplier Device Package
TO-220AB
Base Product Number
IRFBE20
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
742-IRFBE20PBF-BE3
FET Feature
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут