г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI1012X-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI1012X-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3, N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Цена
96 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SI1012X-T1-GE3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Vgs (Max)
±6V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250mW (Ta)
Standard Package
3,000
Other Names
SI1012XT1GE3,SI1012X-T1-GE3TR,SI1012X-T1-GE3CT,SI1012X-T1-GE3DKR,SI1012X-T1-GE3-ND
HTSUS
8541.21.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Supplier Device Package
SC-89-3
Base Product Number
SI1012
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 8EWF10S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK, Diode Standard 1000 V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: VS-E5PH7506L-N3
Бренд: VISHAY
Описание: 75A, 600V, "H" SERIES FRED PT IN, Diode Standard 600 V 75A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFZ30
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 50V 30A TO220AB, N-Channel 50 V 30A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: ES2B/1
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: SI2307BDS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3, P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 208CMQ060
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE MODULE 60V 100A TO244AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 100A Chassis Mount TO-244AB
Подробнее