SI4564DY-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI4564DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SOIC
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SI4564DY-T1-GE3.jpg
Other Names
SI4564DY-T1-GE3TR,SI4564DYT1GE3,SI4564DY-T1-GE3DKR,SI4564DY-T1-GE3CT
Standard Package
2,500
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
855pF @ 20V
FET Feature
Logic Level Gate
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4564
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Power - Max
3.1W, 3.2W
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут