г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA447DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6, P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIA447DJ-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 6 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
19W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SIA447DJ-T1-GE3TR,SIA447DJ-T1-GE3-ND,SIA447DJ-T1-GE3DKR,SIA447DJ-T1-GE3CT
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number
SIA447
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 8 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: LL4448-GS18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80, Diode Standard 75 V 300mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Подробнее
Артикул: VS-80APF06PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC, Diode Standard 600 V 80A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MUR1520
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC, Diode Standard 200 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRFB17N60K
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB, N-Channel 600 V 17A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SIR624DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8, N-Channel 200 V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRFP350PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3, N-Channel 400 V 16A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее