г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA449DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIA449DJ-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2140 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SIA449DJ-T1-GE3DKR,SIA449DJT1GE3,SIA449DJ-T1-GE3TR,SIA449DJ-T1-GE3CT
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number
SIA449
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI7157DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8, P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRF9Z24PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB, P-Channel 60 V 11A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: GP02-40-E3/53
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204, Diode Standard 4000 V 250mA Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: SIA519EDJ-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6, Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Подробнее
Артикул: 2N5433
Бренд: VISHAY
Описание: JFET N-CH 25V 0.3W TO-52, JFET N-Channel 25 V 300 mW Through Hole TO-206AC (TO-52)
Подробнее
Артикул: IRFR320TRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK, N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее