г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7410GTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7410GTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
668 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7410GTRPBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8676 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7410GTRPBFTR,SP001565508,IRF7410GTRPBFDKR,IRF7410GTRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLU024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRFS3307
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK, N-Channel 75 V 130A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRLIZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP, N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее