г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7410GTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7410GTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
668 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7410GTRPBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8676 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7410GTRPBFTR,SP001565508,IRF7410GTRPBFDKR,IRF7410GTRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20UD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IPA60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220, N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BSZ340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON, N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BFR182E-6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Подробнее