г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFSL3806PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFSL3806PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A TO262, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
420 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFSL3806PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001571672
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFS8409-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FP40R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF5305STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FS200R12PT4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFR120ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF9Z24NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB, P-Channel 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее