г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFSL3806PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFSL3806PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A TO262, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
420 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFSL3806PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001571672
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS670S2L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFHM9331TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN, P-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF450R08A03P2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, Power Driver Module IGBT Half Bridge 750 V 450 A Module
Подробнее