г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

64-2096PBF Infineon Technologies

Артикул
64-2096PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/64-2096PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7580 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
64-2096PBFCT,IRF2907ZSTRL7PPCT-ND,64-2096PBFDKR,64-2096PBFTR,IRF2907ZSTRL7PPTR,SP001569370,IRF2907ZSTRL7PPCT,IRF2907ZSTRL7PPDKR,IRF2907ZSTRL7PP,IRF2907ZSTRL7PPTR-ND,IRF2907ZSTRL7PPDKR-ND
Base Product Number
IRF2907
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4IBC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRL3803VPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IPW90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее