г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC817-16W Infineon Technologies

Артикул
BC817-16W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC817-16W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BC817-16W,INFINFBC817-16W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH6200TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN, N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BAR6403WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE SWITCHES, IGBT
Подробнее
Артикул: BSC014N06NSTATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL, N-Channel 60 V 100A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRLZ44Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее