г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP954H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP954H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP954H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Other Names
SP000748528,BDP 954 H6327,BDP 954 H6327-ND
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
ECCN
EAR99
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFS483H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BSZ0702LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRF3805PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGBC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF3808S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAS7007E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT143, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA
Подробнее