г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO613SPV Infineon Technologies

Артикул
BSO613SPV
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO, P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSO613SPV.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
BSO613SPVT,SP000012847
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,500
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR3715Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A DPAK, N-Channel 20 V 49A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPA60R190E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: IRLB3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее