г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
916 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW25N120H3FKSA1.jpg
Other Names
SP000674424,IGW25N120H3,IGW25N120H3-ND
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Power - Max
326 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
2.65mJ
Gate Charge
115 nC
Base Product Number
IGW25N120
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
27ns/277ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRFR5305TRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IPB010N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IPD70R900P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3, N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее